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MSA1162GT1中文资料

MSA1162GT1图片

MSA1162GT1外观图

  • 大小：44.22KB
  • 厂家：ONSEMI [ON Semiconductor]
  • 描述：General Purpose Amplifier Transistors
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
  • 最大直流电集电极电流：0.1 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：200 at 2 mA at 6 V
  • 配置：Single
  • 最大工作频率：80 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SC-59-3
  • 封装：Reel
  • 集电极连续电流：0.1 uA
  • 功率耗散：0.2 W
  • 工厂包装数量：3000

MSA1162GT1供应商

更新时间:2023-01-15 05:30:23
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